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I moduli FET ORing della serie i1R sono dispositivi di potenza ad alta efficienza e bassa perdita progettati per sostituire i diodi tradizionali in applicazioni che richiedono funzionalità OR-ing per ridondanza e funzionamento in parallelo. Utilizzando circuiti avanzati basati su MOSFET, la serie i1R riduce al minimo i transitori di corrente inversa e le perdite di conduzione, raggiungendo un'efficienza fino al 99,5%.

Ciò risolve le sfide critiche in termini di gestione termica e densità di potenza, in particolare nei sistemi ad alta corrente. Il fattore di forma compatto e schermato (26,3 mm × 26,3 mm × 10,1 mm, ≤20 g) supporta correnti di uscita fino a 80A con un derating minimo, consentendo prestazioni affidabili in ambienti con spazi limitati. Caratteristiche come l’ampio range di tensione in ingresso, lo spegnimento rapido in condizioni di guasto e il packaging standard del settore garantiscono una perfetta integrazione in progetti di alimentazione complessi.